|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SSP3N80AОсновные параметры полевого транзистора SSP3N80A - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 100W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 800V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 3A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 38nS
- Входная емкость (Сiss): 585pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 4.8 Ом
- Производитель: FAIRCHILD
- Тип корпуса: TO-220
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусSSF4N80AS |
MOSFET | N-Channel | 85W | 800V | | | 3.5A | 56nS | 880pF | 3 Ом | TO-3PF | SSF4N90AS |
MOSFET | N-Channel | 85W | 900V | | | 3.5A | 57nS | 910pF | 3.7 Ом | TO-3PF | SSI3N80A |
MOSFET | N-Channel | 100W | 800V | | | 3A | 38nS | 585pF | 4.8 Ом | I2PAK | SSI3N90A |
MOSFET | N-Channel | 100W | 900V | | | 3A | 39nS | 590pF | 6.2 Ом | I2PAK | SSP3N90A |
MOSFET | N-Channel | 100W | 900V | | | 3A | 39nS | 590pF | 6.2 Ом | TO-220 | SSW3N80A |
MOSFET | N-Channel | 100W | 800V | | | 3A | 38nS | 585pF | 4.8 Ом | TO-263 | SSW3N90A |
MOSFET | N-Channel | 100W | 900V | | | 3A | 39nS | 590pF | 6.2 Ом | TO-263 | STP3N90 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 900V | | | 3.2A | | | 4.500 Ом | TO-220 | STP3NA80 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 800V | | | 3A | | | 4.500 Ом | TO-220 | STP4N90 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 900V | | | 3.6A | | | 3.500 Ом | TO-220 | STP4NA80 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 800V | | | 3.8A | | | 3.500 Ом | TO-220 | STV3NA80 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 800V | | | 3.2A | | | 4.500 Ом | PowerSO-10 | STV4NA80 |
MOSFET | N-Channel | 110W | 800V | | | 3.8A | | | 3.000 Ом | PowerSO-10 | |
|
|
|