vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора STV4NA80
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора STV4NA80

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 110W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 800V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 3.8A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 3.000 Ом
    • Производитель: STE
    • Тип корпуса: PowerSO-10
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    SSI3N80A MOSFETN-Channel100W800V 3A38nS585pF4.8 ОмI2PAK
    SSI3N90A MOSFETN-Channel100W900V 3A39nS590pF6.2 ОмI2PAK
    SSP3N80A MOSFETN-Channel100W800V 3A38nS585pF4.8 ОмTO-220
    SSP3N90A MOSFETN-Channel100W900V 3A39nS590pF6.2 ОмTO-220
    SSW3N80A MOSFETN-Channel100W800V 3A38nS585pF4.8 ОмTO-263
    SSW3N90A MOSFETN-Channel100W900V 3A39nS590pF6.2 ОмTO-263
    STP3N90 MOSFETN-Channel100W900V 3.2A 4.500 ОмTO-220
    STP3NA80 MOSFETN-Channel100W800V 3A 4.500 ОмTO-220
    STP4N90 MOSFETN-Channel100W900V 3.6A 3.500 ОмTO-220
    STP4NA80 MOSFETN-Channel100W800V 3.8A 3.500 ОмTO-220
    STV3NA80 MOSFETN-Channel100W800V 3.2A 4.500 ОмPowerSO-10
    Яндекс.Метрика