vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SSS10N60A
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора SSS10N60A

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 50W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 5.1A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 95nS
    • Входная емкость (Сiss): 1750pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.8 Ом
    • Производитель: FAIRCHILD
    • Тип корпуса: TO-220F
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    IRFS840A MOSFETN-Channel44W500V 4.6A74nS1190pF0.85 ОмTO-220F
    IRFY440 MOSFETN-Channel60W500V 5.5A21/72nS1300pF0.98 ОмTO220M
    IRFY440C MOSFETN-Channel60W500V 5.5A21/72nS1300pF0.98 ОмTO220MC
    SSS6N55 MOSFETN-Channel40W550V 6A TO-220
    SSS6N60 MOSFETN-Channel40W600V 6A TO-220
    SSS6N70A MOSFETN-Channel40W700V 4A54nS920pF1.8 ОмTO-220F
    SSS7N60A MOSFETN-Channel48W600V 4A65nS1150pF1.2 ОмTO-220F
    STH10NA50FI MOSFETN-Channel60W500V 5.6A ISO218
    STP6NA50FI MOSFETN-Channel45W500V 4A 1.100 ОмISOWATT220
    STP7NA60FI MOSFETN-Channel45W600V 4.3A 1.000 ОмISOWATT220
    STP8NA50FI MOSFETN-Channel40W500V 4.5A 0.850 ОмISOWATT220
    STP9NA50FI MOSFETN-Channel45W500V 5A 0.800 ОмISOWATT220
    Яндекс.Метрика