|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SSS4N60ASОсновные параметры полевого транзистора SSS4N60AS - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 33W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 2.3A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 34nS
- Входная емкость (Сiss): 545pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 2.5 Ом
- Производитель: FAIRCHILD
- Тип корпуса: TO-220F
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | Корпус2SK1177 |
MOSFET | N-Channel | 30W | 500V | | | 2.5A | | 350pF | 3.0 Ом | FM20 | 2SK2848 |
MOSFET | N-Channel | 30W | 600V | | | 2A | | 290pF | 3.8 Ом | FM20 | IRFS820 |
MOSFET | N-Channel | 30W | 500V | | | 2.5A | | | | TO-220 | IRFS820A |
MOSFET | N-Channel | 33W | 500V | | | 2.1A | 26nS | 390pF | 3 Ом | TO-220F | IRFS822 |
MOSFET | N-Channel | 30W | 500V | | | 2.2A | | | | TO-220 | PHX4N60E |
MOSFET | N-Channel | 35W | 600V | | | 2.25A | | | 2.5 Ом | SOT186A | PHX6N60E |
MOSFET | N-Channel | 35W | 600V | | | 2.7A | | | 1.8 Ом | SOT186A | STP2N60FI |
MOSFET | N-Channel | 35W | 600V | | | 2.2A | | | 3.500 Ом | ISOWATT220 | STP3N60FI |
MOSFET | N-Channel | 35W | 600V | | | 2.7A | | | 2.200 Ом | ISOWATT220 | STP3N60XI |
MOSFET | N-Channel | 28W | 600V | | | 2.4A | | | 2.500 Ом | ISOWATT221 | STP3NA50FI |
MOSFET | N-Channel | 35W | 500V | | | 2.2A | | | 3.000 Ом | ISOWATT220 | |
|
|
|