vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора STD15N06T4
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора STD15N06T4

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 50W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 60V
    • Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 60V
    • Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 20V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 15A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 175°C
    • Время включения/выключения (Fr): 60/250nS
    • Входная емкость (Сiss): 700pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.100 Ом
    • Производитель: STE
    • Тип корпуса: DPAK
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    STD12N05-1 MOSFETN-Channel45W50V50V20V12A60/120nS450pF0.150 ОмIPAK
    STD12N05T4 MOSFETN-Channel45W50V50V20V12A60/120nS450pF0.150 ОмDPAK
    STD12N06-1 MOSFETN-Channel45W60V60V20V12A60/120nS450pF0.150 ОмIPAK
    STD12N06T4 MOSFETN-Channel45W60V60V20V12A60/120nS450pF0.150 ОмDPAK
    STD15N06-1 MOSFETN-Channel50W60V60V20V15A60/250nS700pF0.100 ОмIPAK
    STD17N05-1 MOSFETN-Channel55W50V50V20V17A30/170nS800pF0.085 ОмIPAK
    STD17N05T4 MOSFETN-Channel55W50V50V20V17A30/170nS800pF0.085 ОмDPAK
    STD17N06-1 MOSFETN-Channel55W60V60V20V17A30/170nS800pF0.085 ОмIPAK
    STD17N06T4 MOSFETN-Channel55W60V60V20V17A30/170nS800pF0.085 ОмDPAK
    Яндекс.Метрика