|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора STD17N05T4Основные параметры полевого транзистора STD17N05T4 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 55W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 50V
- Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 50V
- Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 20V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 17A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 175°C
- Время включения/выключения (Fr): 30/170nS
- Входная емкость (Сiss): 800pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.085 Ом
- Производитель: STE
- Тип корпуса: DPAK
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусSTD15N06-1 |
MOSFET | N-Channel | 50W | 60V | 60V | 20V | 15A | 60/250nS | 700pF | 0.100 Ом | IPAK | STD15N06T4 |
MOSFET | N-Channel | 50W | 60V | 60V | 20V | 15A | 60/250nS | 700pF | 0.100 Ом | DPAK | STD17N05-1 |
MOSFET | N-Channel | 55W | 50V | 50V | 20V | 17A | 30/170nS | 800pF | 0.085 Ом | IPAK | STD17N06-1 |
MOSFET | N-Channel | 55W | 60V | 60V | 20V | 17A | 30/170nS | 800pF | 0.085 Ом | IPAK | STD17N06T4 |
MOSFET | N-Channel | 55W | 60V | 60V | 20V | 17A | 30/170nS | 800pF | 0.085 Ом | DPAK | |
|
|
|