vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора STE38N60
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора STE38N60

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 450W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
    • Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 600V
    • Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 20V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 38A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 65/200
    • Входная емкость (Сiss): 10nF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.150 Ом
    • Производитель: STE
    • Тип корпуса: ISOTOP
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    STE36N50 MOSFETN-Channel410W500V500V20V36A95/1079nF0.140 ОмISOTOP
    STE36N50-DA MOSFETN-Channel410W500V500V20V36A65/1208000pF0.140 ОмISOTOP
    STE36N50-DK MOSFETN-Channel410W500V500V20V36A65/1208000pF0.140 ОмISOTOP
    STE38NA50 MOSFETN-Channel400W500V500V20V38A60/12012nF0.135 ОмISOTOP
    STE40N55 MOSFETN-Channel450W550V550V20V40A90/13012nF0.120 ОмISOTOP
    STE45N50 MOSFETN-Channel450W500V500V20V45A90/13012nF0.110 ОмISOTOP
    Яндекс.Метрика