vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора STE45N50
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора STE45N50

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 450W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
    • Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 500V
    • Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 20V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 45A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 90/130
    • Входная емкость (Сiss): 12nF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.110 Ом
    • Производитель: STE
    • Тип корпуса: ISOTOP
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    STE36N50 MOSFETN-Channel410W500V500V20V36A95/1079nF0.140 ОмISOTOP
    STE36N50-DA MOSFETN-Channel410W500V500V20V36A65/1208000pF0.140 ОмISOTOP
    STE36N50-DK MOSFETN-Channel410W500V500V20V36A65/1208000pF0.140 ОмISOTOP
    STE38N60 MOSFETN-Channel450W600V600V20V38A65/20010nF0.150 ОмISOTOP
    STE38NA50 MOSFETN-Channel400W500V500V20V38A60/12012nF0.135 ОмISOTOP
    STE40N55 MOSFETN-Channel450W550V550V20V40A90/13012nF0.120 ОмISOTOP
    STE47N50 MOSFETN-Channel450W500V500V20V47A90/13012nF0.100 ОмISOTOP
    STE50N40 MOSFETN-Channel450W400V400V20V50A80/12012nF0.075 ОмISOTOP
    STE53NA50 MOSFETN-Channel460W500V500V20V53A90/12012nF0.085 ОмISOTOP
    Яндекс.Метрика