|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора STE45N50Основные параметры полевого транзистора STE45N50 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 450W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
- Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 500V
- Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 20V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 45A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 90/130
- Входная емкость (Сiss): 12nF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.110 Ом
- Производитель: STE
- Тип корпуса: ISOTOP
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусSTE36N50 |
MOSFET | N-Channel | 410W | 500V | 500V | 20V | 36A | 95/107 | 9nF | 0.140 Ом | ISOTOP | STE36N50-DA |
MOSFET | N-Channel | 410W | 500V | 500V | 20V | 36A | 65/120 | 8000pF | 0.140 Ом | ISOTOP | STE36N50-DK |
MOSFET | N-Channel | 410W | 500V | 500V | 20V | 36A | 65/120 | 8000pF | 0.140 Ом | ISOTOP | STE38N60 |
MOSFET | N-Channel | 450W | 600V | 600V | 20V | 38A | 65/200 | 10nF | 0.150 Ом | ISOTOP | STE38NA50 |
MOSFET | N-Channel | 400W | 500V | 500V | 20V | 38A | 60/120 | 12nF | 0.135 Ом | ISOTOP | STE40N55 |
MOSFET | N-Channel | 450W | 550V | 550V | 20V | 40A | 90/130 | 12nF | 0.120 Ом | ISOTOP | STE47N50 |
MOSFET | N-Channel | 450W | 500V | 500V | 20V | 47A | 90/130 | 12nF | 0.100 Ом | ISOTOP | STE50N40 |
MOSFET | N-Channel | 450W | 400V | 400V | 20V | 50A | 80/120 | 12nF | 0.075 Ом | ISOTOP | STE53NA50 |
MOSFET | N-Channel | 460W | 500V | 500V | 20V | 53A | 90/120 | 12nF | 0.085 Ом | ISOTOP | |
|
|
|