vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора STE53NA50
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора STE53NA50

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 460W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
    • Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 500V
    • Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 20V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 53A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 90/120
    • Входная емкость (Сiss): 12nF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.085 Ом
    • Производитель: STE
    • Тип корпуса: ISOTOP
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    STE45N50 MOSFETN-Channel450W500V500V20V45A90/13012nF0.110 ОмISOTOP
    STE47N50 MOSFETN-Channel450W500V500V20V47A90/13012nF0.100 ОмISOTOP
    STE50N40 MOSFETN-Channel450W400V400V20V50A80/12012nF0.075 ОмISOTOP
    Яндекс.Метрика