vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов

Полевые транзисторы

Биполярные транзисторы

Справка

Классификация полевых транзисторов

vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора STP33N10

Каталог - Полевые транзисторы

Основные параметры полевого транзистора STP33N10

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 150W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 33A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.060 Ом
Производитель: STE
Тип корпуса: TO-220
Найти datasheet

Похожие по параметрам:

Транз.	Структ.	Канал	Pd max	Uds max	Udg max	Ugs max	Id max	Fr	Сiss	Rds	Корпус
2N6916	MOSFET	N-channel	125W	100V			32A		2000pF	0.06 Ом	TO-3
2N7218	MOSFET	N-Channel	125W	100V			28A	21/64nS	1660pF	0.077 Ом	TO254
BUZ24	MOSFET	N-Channel	125W	100V			32A	-	-	0.06 Ом	TO3
IRF140	MOSFET	N-Channel	125W	100V			28A	21/170nS	1660pF	0.077 Ом	TO3
IRF141	MOSFET	N-Channel	125W	80V			28A	-	-	0.077 Ом	TO3
IRF150	MOSFET	N-Channel	150W	100V			38A	65/190nS	3700pF	0.055 Ом	TO3
IRF541	MOSFET	N-Channel	125W	80V			28A	-	-	0.077 Ом	TO220
IRFM140	MOSFET	N-Channel	125W	100V			28A	21/64nS	1660pF	0.077 Ом	TO254
IRFM150	MOSFET	N-Channel	150W	100V			34A	35/170nS	3700pF	0.07 Ом	TO254
IRFP140A	MOSFET	N-Channel	131W	100V			31A	78nS	1320pF	0.052 Ом	TO-3P
IRFP141	MOSFET	N-Channel	125W	80V			28A				TO-3P
IRFP152	MOSFET	N-Channel	150W	100V			34A	-	-	0.08 Ом	SOT93
IRL540A	MOSFET	N-Channel	121W	100V			28A	54nS	1215pF	0.058 Ом	TO-220
IRLI540A	MOSFET	N-Channel	121W	100V			28A	54nS	1215pF	0.058 Ом	I2PAK
IRLW540A	MOSFET	N-Channel	121W	100V			28A	54nS	1215pF	0.058 Ом	TO-263
SSP45N20A	MOSFET	N-Channel	176W	100V			35A	152nS	3030pF	0.065 Ом	TO-220
STV33N10	MOSFET	N-Channel	150W	100V			33A			0.060 Ом	PowerSO-10