vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SSP45N20A
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора SSP45N20A

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 176W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 35A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 152nS
    • Входная емкость (Сiss): 3030pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.065 Ом
    • Производитель: FAIRCHILD
    • Тип корпуса: TO-220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    IRF150 MOSFETN-Channel150W100V 38A65/190nS3700pF0.055 ОмTO3
    IRF550A MOSFETN-Channel167W100V 40A97nS1750pF0.04 ОмTO-220
    IRFI550A MOSFETN-Channel167W100V 40A97nS1750pF0.04 ОмI2PAK
    IRFM150 MOSFETN-Channel150W100V 34A35/170nS3700pF0.07 ОмTO254
    IRFP152 MOSFETN-Channel150W100V 34A--0.08 ОмSOT93
    IRFW550A MOSFETN-Channel167W100V 40A97nS1750pF0.04 ОмTO-263
    NDB710A MOSFETN-Channel150W100V 42A 0.038 ОмTO-263
    NDP710A MOSFETN-Channel150W100V 42A 0.038 ОмTO-220
    STP33N10 MOSFETN-Channel150W100V 33A 0.060 ОмTO-220
    STP40N10 MOSFETN-Channel150W100V 40A 0.040 ОмTO-220
    STV33N10 MOSFETN-Channel150W100V 33A 0.060 ОмPowerSO-10
    STV40N10 MOSFETN-Channel150W100V 40A 0.040 ОмPowerSO-10
    Яндекс.Метрика