vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора Si4812DY
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора Si4812DY

    • Структура (технология): FET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 2.5W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 30V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 9A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 16nS
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.028 Ом
    • Производитель: VISHAY
    • Тип корпуса: SOIC-8
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    FDS4410 MOSFETN-Channel2.5W30V 10A 0.0135 ОмSO8
    FDS4435 MOSFETP-Channel2.5W30V 8.8A 0.02 ОмSO8
    FDS4435A MOSFETP-Channel2.5W30V 9A 0.017 ОмSO8
    FDS6612A MOSFETN-Channel2.5W30V 8.4A 0.022 ОмSO8
    FDS6614A MOSFETN-Channel2.5W30V 9.3A 0.018 ОмSO8
    FDS6685 MOSFETP-Channel2.5W30V 8.8A 0.02 ОмSO8
    FDS6982 MOSFETN-Channel2W30V 8.6A 0.015 ОмSO8
    HAT2039R MOSFETN-Channel2W30V ±12V8A185mS1420pF24 ОмSOP-8
    HAT2043R MOSFETN-Channel2W30V ±20V8A110mS1170pF33 ОмSOP-8
    HAT2061R MOSFETN-Channel2.5W30V ±20V8A50mS530pF12 ОмTSOP-8
    NDS8410A MOSFETN-Channel2.5W30V 10.8A 0.012 ОмSO8
    Si4810DY FETN-Channel2.5W30V 10A20nS 0.020 ОмSOIC-8
    Si4832DY FETN-Channel2.5W30V 9A16nS 0.028 ОмSOIC-8
    Яндекс.Метрика