|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора FK10VS-12Основные параметры полевого транзистора FK10VS-12 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 150W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
- Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±30V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 10A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 25/130nS
- Входная емкость (Сiss): 1500pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.18 Ом
- Производитель: MITSUBISHI
- Тип корпуса: TO-220S
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусIRF840A |
MOSFET | N-Channel | 134W | 500V | | ±30V | 8A | 74nS | 1190pF | 0.85 Ом | TO-220 | IRF840AS |
MOSFET | N-Channel | 125W | 500V | | ±30V | 8.0A | 11/26nS | 1018pF | 0.85 Ом | D2PAK | FK10SM-10 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 500V | | ±30V | 10A | 20/95nS | 1100pF | 1.13 Ом | TO-3P | FK10SM-12 |
MOSFET | N-Channel | 150W | 600V | | ±30V | 10A | 25/130nS | 1500pF | 1.18 Ом | TO-3P | FK10UM-10 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 500V | | ±30V | 10A | 20/95nS | 1100pF | 1.13 Ом | TO-220 | FK10UM-12 |
MOSFET | N-Channel | 150W | 600V | | ±30V | 10A | 25/130nS | 1500pF | 1.18 Ом | TO-220 | FK10VS-10 |
MOSFET | N-Channel | 125W | 500V | | ±30V | 10A | 20/95nS | 1100pF | 1.13 Ом | TO-220S | IRF840A |
MOSFET | N-Channel | 125W | 500V | | ±30V | 8A | 11/26nS | 1018pF | 0.85 Ом | TO-220 | |
|
|
|