vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SDF120JDA-S
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора SDF120JDA-S

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 50W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
    • Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 100V
    • Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±20V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 9.2A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 14/33nS
    • Входная емкость (Сiss): 650pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.27 Ом
    • Производитель: SOLITRON
    • Тип корпуса: TO-254
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    SDF120JAA-D MOSFETN-Channel50W100V100V ±20V9.2A14/33nS650pF0.27 ОмTO-254
    SDF120JAA-S MOSFETN-Channel50W100V100V ±20V9.2A14/33nS650pF0.27 ОмTO-254
    SDF120JAA-U MOSFETN-Channel50W100V100V ±20V9.2A14/33nS650pF0.27 ОмTO-254
    SDF120JAB-D MOSFETN-Channel50W100V100V ±20V9.2A14/33nS650pF0.27 ОмTO-254A-D
    SDF120JAB-S MOSFETN-Channel50W100V100V ±20V9.2A14/33nS650pF0.27 ОмTO-254A-S
    SDF120JAB-U MOSFETN-Channel50W100V100V ±20V9.2A14/33nS650pF0.27 ОмTO-254A-U
    SDF120JDA-D MOSFETN-Channel50W100V100V ±20V9.2A14/33nS650pF0.27 ОмTO-254
    SDF120JDA-U MOSFETN-Channel50W100V100V ±20V9.2A14/33nS650pF0.27 ОмTO-254
    IRFN9130SMD MOSFETP-Channel45W100V100V±20V9.3A60/140nS800pF0.31 ОмSMD1
    Яндекс.Метрика