|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFN9130SMDОсновные параметры полевого транзистора IRFN9130SMD - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: P-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 45W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
- Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 100V
- Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±20V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 9.3A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 60/140nS
- Входная емкость (Сiss): 800pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.31 Ом
- Производитель: SEMELAB
- Тип корпуса: SMD1
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусSDF120JAA-D |
MOSFET | N-Channel | 50W | 100V | 100V | ±20V | 9.2A | 14/33nS | 650pF | 0.27 Ом | TO-254 | SDF120JAA-S |
MOSFET | N-Channel | 50W | 100V | 100V | ±20V | 9.2A | 14/33nS | 650pF | 0.27 Ом | TO-254 | SDF120JAA-U |
MOSFET | N-Channel | 50W | 100V | 100V | ±20V | 9.2A | 14/33nS | 650pF | 0.27 Ом | TO-254 | SDF120JAB-D |
MOSFET | N-Channel | 50W | 100V | 100V | ±20V | 9.2A | 14/33nS | 650pF | 0.27 Ом | TO-254A-D | SDF120JAB-S |
MOSFET | N-Channel | 50W | 100V | 100V | ±20V | 9.2A | 14/33nS | 650pF | 0.27 Ом | TO-254A-S | SDF120JAB-U |
MOSFET | N-Channel | 50W | 100V | 100V | ±20V | 9.2A | 14/33nS | 650pF | 0.27 Ом | TO-254A-U | SDF120JDA-D |
MOSFET | N-Channel | 50W | 100V | 100V | ±20V | 9.2A | 14/33nS | 650pF | 0.27 Ом | TO-254 | SDF120JDA-S |
MOSFET | N-Channel | 50W | 100V | 100V | ±20V | 9.2A | 14/33nS | 650pF | 0.27 Ом | TO-254 | SDF120JDA-U |
MOSFET | N-Channel | 50W | 100V | 100V | ±20V | 9.2A | 14/33nS | 650pF | 0.27 Ом | TO-254 | |
|
|
|