vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SDF9N100JEC-U
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора SDF9N100JEC-U

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 300W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 1000V
    • Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 1000V
    • Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±20V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 9A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 100/220nS
    • Входная емкость (Сiss): 4500pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.4 Ом
    • Производитель: SOLITRON
    • Тип корпуса: TO-254-U
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    SDF9N100GAF-D MOSFETN-Channel300W1000V 1000V ±20V9A110/220nS4500pF1.4 ОмTO254B-D
    SDF9N100GAF-S MOSFETN-Channel300W1000V 1000V ±20V9A110/220nS4500pF1.4 ОмTO254B-S
    SDF9N100GAF-U MOSFETN-Channel300W1000V 1000V ±20V9A110/220nS4500pF1.4 ОмTO254B-U
    SDF9N100JEA-D MOSFETN-Channel300W1000V 1000V ±20V9A100/220nS4500pF1.4 ОмTO-254-D
    SDF9N100JEA-S MOSFETN-Channel300W1000V 1000V ±20V9A100/220nS4500pF1.4 ОмTO-254-S
    SDF9N100JEA-U MOSFETN-Channel300W1000V 1000V ±20V9A100/220nS4500pF1.4 ОмTO-254-U
    SDF9N100JEB-D MOSFETN-Channel300W1000V 1000V ±20V9A100/220nS4500pF1.4 ОмTO254A-D
    SDF9N100JEB-S MOSFETN-Channel300W1000V 1000V ±20V9A100/220nS4500pF1.4 ОмTO254A-S
    SDF9N100JEB-U MOSFETN-Channel300W1000V 1000V ±20V9A100/220nS4500pF1.4 ОмTO254A-U
    SDF9N100JEC-D MOSFETN-Channel300W1000V 1000V ±20V9A100/220nS4500pF1.4 ОмTO-254-D
    SDF9N100JEC-S MOSFETN-Channel300W1000V 1000V ±20V9A100/220nS4500pF1.4 ОмTO-254-S
    SDF9N100JED-D MOSFETN-Channel300W1000V 1000V ±20V9A100/220nS4500pF1.4 ОмTO254A-D
    SDF9N100JED-S MOSFETN-Channel300W1000V 1000V ±20V9A100/220nS4500pF1.4 ОмTO254A-S
    SDF9N100JED-U MOSFETN-Channel300W1000V 1000V ±20V9A100/220nS4500pF1.4 ОмTO254A-U
    SML1201B8 MOSFETN-Channel280W1200V1200V±30V8A12/60nS3050pF1.6 ОмTO-247
    Яндекс.Метрика