|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора SML1201B8Основные параметры полевого транзистора SML1201B8 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 280W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 1200V
- Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 1200V
- Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±30V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 8A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 12/60nS
- Входная емкость (Сiss): 3050pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.6 Ом
- Производитель: SEMELAB
- Тип корпуса: TO-247
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусSDF9N100GAF-D |
MOSFET | N-Channel | 300W | 1000V | 1000V | ±20V | 9A | 110/220nS | 4500pF | 1.4 Ом | TO254B-D | SDF9N100GAF-S |
MOSFET | N-Channel | 300W | 1000V | 1000V | ±20V | 9A | 110/220nS | 4500pF | 1.4 Ом | TO254B-S | SDF9N100GAF-U |
MOSFET | N-Channel | 300W | 1000V | 1000V | ±20V | 9A | 110/220nS | 4500pF | 1.4 Ом | TO254B-U | SDF9N100JEA-D |
MOSFET | N-Channel | 300W | 1000V | 1000V | ±20V | 9A | 100/220nS | 4500pF | 1.4 Ом | TO-254-D | SDF9N100JEA-S |
MOSFET | N-Channel | 300W | 1000V | 1000V | ±20V | 9A | 100/220nS | 4500pF | 1.4 Ом | TO-254-S | SDF9N100JEA-U |
MOSFET | N-Channel | 300W | 1000V | 1000V | ±20V | 9A | 100/220nS | 4500pF | 1.4 Ом | TO-254-U | SDF9N100JEB-D |
MOSFET | N-Channel | 300W | 1000V | 1000V | ±20V | 9A | 100/220nS | 4500pF | 1.4 Ом | TO254A-D | SDF9N100JEB-S |
MOSFET | N-Channel | 300W | 1000V | 1000V | ±20V | 9A | 100/220nS | 4500pF | 1.4 Ом | TO254A-S | SDF9N100JEB-U |
MOSFET | N-Channel | 300W | 1000V | 1000V | ±20V | 9A | 100/220nS | 4500pF | 1.4 Ом | TO254A-U | SDF9N100JEC-D |
MOSFET | N-Channel | 300W | 1000V | 1000V | ±20V | 9A | 100/220nS | 4500pF | 1.4 Ом | TO-254-D | SDF9N100JEC-S |
MOSFET | N-Channel | 300W | 1000V | 1000V | ±20V | 9A | 100/220nS | 4500pF | 1.4 Ом | TO-254-S | SDF9N100JEC-U |
MOSFET | N-Channel | 300W | 1000V | 1000V | ±20V | 9A | 100/220nS | 4500pF | 1.4 Ом | TO-254-U | SDF9N100JED-D |
MOSFET | N-Channel | 300W | 1000V | 1000V | ±20V | 9A | 100/220nS | 4500pF | 1.4 Ом | TO254A-D | SDF9N100JED-S |
MOSFET | N-Channel | 300W | 1000V | 1000V | ±20V | 9A | 100/220nS | 4500pF | 1.4 Ом | TO254A-S | SDF9N100JED-U |
MOSFET | N-Channel | 300W | 1000V | 1000V | ±20V | 9A | 100/220nS | 4500pF | 1.4 Ом | TO254A-U | SDF9N100SXH |
MOSFET | N-Channel | 230W | 1000V | 1000V | ±20V | 9A | 30/95nS | 2950pF | 1.4 Ом | TO-3 | |
|
|
|