Справка

Основные параметры полевого транзистора TK65G10N1

• Структура (технология): MOSFET
  
• Тип канала: N-channel
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 156W
  
• Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
  
• Предельный постоянный ток стока (Id max): 136A
  
• Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.0045 Ом
  
• Суммарный заряд затвора (Qg): 81 нКл
  
• Производитель: Toshiba
  
• Тип корпуса: D2PAK
• Найти datasheet