|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора TPH8R008NHОсновные параметры полевого транзистора TPH8R008NH - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 61W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 80V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 63A
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.008 Ом
- Суммарный заряд затвора (Qg): 35 нКл
- Производитель: Toshiba
- Тип корпуса: SOP Advance
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусTK35E08N1 |
MOSFET | N-channel | 72W | 80V | | | 55A | | | 0.0122 Ом | TO-220 | TK35E08N1 |
MOSFET | N-channel | 72W | 80V | | | 55A | | | 0.0122 Ом | TO-220 | |
|
|
|