|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора TK35E08N1Основные параметры полевого транзистора TK35E08N1 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 72W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 80V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 55A
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.0122 Ом
- Суммарный заряд затвора (Qg): 25 нКл
- Производитель: Toshiba
- Тип корпуса: TO-220
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусTPH8R008NH |
MOSFET | N-channel | 61W | 80V | | | 63A | | | 0.008 Ом | SOP Advance | TPH8R008NH |
MOSFET | N-channel | 61W | 80V | | | 63A | | | 0.008 Ом | SOP Advance | |
|
|
|