vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора 2SK3214
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора 2SK3214

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 50W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
    • Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±20V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 10A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Входная емкость (Сiss): 1100pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 170 Ом
    • Производитель: HITACHI
    • Тип корпуса: TO-220AB
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    IRFS640A MOSFETN-Channel43W200V 9.8A58nS1160pF0.18 ОмTO-220F
    IRFS9640 MOSFETP-Channel40W200V 11A TO-220
    IRFS9642 MOSFETP-Channel40W200V 9A TO-220
    IRFY240 MOSFETN-Channel60W200V 12A37.6/152nS1300pF0.22 ОмTO220M
    IRFY240C MOSFETN-Channel60W200V 12A37.6/152nS1300pF0.22 ОмTO220MC
    IRLS640A MOSFETN-Channel40W200V 9.8A56nS1310pF0.18 ОмTO-220F
    Яндекс.Метрика