|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора 2SK3214Основные параметры полевого транзистора 2SK3214 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 50W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
- Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±20V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 10A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Входная емкость (Сiss): 1100pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 170 Ом
- Производитель: HITACHI
- Тип корпуса: TO-220AB
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусIRFS640A |
MOSFET | N-Channel | 43W | 200V | | | 9.8A | 58nS | 1160pF | 0.18 Ом | TO-220F | IRFS9640 |
MOSFET | P-Channel | 40W | 200V | | | 11A | | | | TO-220 | IRFS9642 |
MOSFET | P-Channel | 40W | 200V | | | 9A | | | | TO-220 | IRFY240 |
MOSFET | N-Channel | 60W | 200V | | | 12A | 37.6/152nS | 1300pF | 0.22 Ом | TO220M | IRFY240C |
MOSFET | N-Channel | 60W | 200V | | | 12A | 37.6/152nS | 1300pF | 0.22 Ом | TO220MC | IRLS640A |
MOSFET | N-Channel | 40W | 200V | | | 9.8A | 56nS | 1310pF | 0.18 Ом | TO-220F | |
|
|
|