vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора TPH4R50ANH
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора TPH4R50ANH

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 78W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 93A
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.0045 Ом
    • Суммарный заряд затвора (Qg): 58 нКл
    • Производитель: Toshiba
    • Тип корпуса: SOP Advance
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    TPH4R008NH MOSFETN-channel78W80V100A0.004 ОмSOP Advance
    TPH4R008NH MOSFETN-channel78W80V100A0.004 ОмSOP Advance
    Яндекс.Метрика