|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора TPH4R50ANHОсновные параметры полевого транзистора TPH4R50ANH - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 78W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 93A
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.0045 Ом
- Суммарный заряд затвора (Qg): 58 нКл
- Производитель: Toshiba
- Тип корпуса: SOP Advance
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусTPH4R008NH |
MOSFET | N-channel | 78W | 80V | | | 100A | | | 0.004 Ом | SOP Advance | TPH4R008NH |
MOSFET | N-channel | 78W | 80V | | | 100A | | | 0.004 Ом | SOP Advance | |
|
|
|