vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора TK65E10N1
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора TK65E10N1

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 192W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 148A
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.0048 Ом
    • Суммарный заряд затвора (Qg): 81 нКл
    • Производитель: Toshiba
    • Тип корпуса: TO-220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    TK65G10N1 MOSFETN-channel156W100V136A0.0045 ОмD2PAK
    TK72E08N1 MOSFETN-channel192W80V157A0.0043 ОмTO-220
    TK65G10N1 MOSFETN-channel156W100V136A0.0045 ОмD2PAK
    TK72E08N1 MOSFETN-channel192W80V157A0.0043 ОмTO-220
    Яндекс.Метрика