|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора TK25A10K3Основные параметры полевого транзистора TK25A10K3 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 25W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 25A
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.040 Ом
- Суммарный заряд затвора (Qg): 34 нКл
- Производитель: Toshiba
- Тип корпуса: TO-220SIS
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусTPN30008NH |
MOSFET | N-channel | 27W | 80V | | | 22A | | | 0.03 Ом | TSON Advance | TPN3300ANH |
MOSFET | N-channel | 27W | 100V | | | 21A | | | 0.033 Ом | TSON Advance | |
|
|
|