|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора TPN3300ANHОсновные параметры полевого транзистора TPN3300ANH - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 27W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 21A
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.033 Ом
- Суммарный заряд затвора (Qg): 11 нКл
- Производитель: Toshiba
- Тип корпуса: TSON Advance
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусTK25A10K3 |
MOSFET | N-channel | 25W | 100V | | | 25A | | | 0.040 Ом | TO-220SIS | TPN30008NH |
MOSFET | N-channel | 27W | 80V | | | 22A | | | 0.03 Ом | TSON Advance | |
|
|
|