|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора TK22A10N1Основные параметры полевого транзистора TK22A10N1 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 30W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 52A
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.0138 Ом
- Суммарный заряд затвора (Qg): 28 нКл
- Производитель: Toshiba
- Тип корпуса: TO-220SIS
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусTK35A08N1 |
MOSFET | N-channel | 30W | 80V | | | 55A | | | 0.0122 Ом | TO-220SIS | TK32A12N1 |
MOSFET | N-channel | 30W | 120V | | | 60A | | | 0.0138 Ом | TO-220SIS | |
|
|
|