Справка

Основные параметры полевого транзистора 2SK660

• Структура (технология): MOSFET
  
• Тип канала: N-Channel
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 100mW
  
• Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 20V
  
• Предельный постоянный ток стока (Id max): 10mA
  
• Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  
• Время включения/выключения (Fr): 150mS
  
• Производитель: NEC
  
• Тип корпуса: SST
• Найти datasheet