|
Каталог - Биполярные транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SD1782Основные параметры биполярного транзистора 2SD1782 - Материал: Si
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 750mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 80V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 700mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40 (min)
- Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
- Производитель: FUJITSU
- Корпус: SOT23
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | КорпусBSW50 |
Si | npn | 800mW | 65V | - | - | 800mA | 200MHz | 32 (min) | TO5 | DTS2002 |
Si | npn | 720mW | 80V | - | - | 600mA | 75MHz | 10000 | TO92 | |
|
|
|