|
|
Каталог - Биполярные транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора AFY29Основные параметры биполярного транзистора AFY29 - Материал: Ge
- Структура: pnp
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 90mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 25V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 85°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 40 (min)
- Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
- Производитель: SIEMENS
- Корпус: TO72
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2N265 |
Ge | pnp | 75mW | 25V | - | - | 50mA | 600KHz | 115 | R32 | | 2N3283 |
Ge | pnp | 100mW | 25V | - | - | 50mA | 250MHz | 10 (min) | TO72 | | 2N3284 |
Ge | pnp | 100mW | 25V | - | - | 50mA | 250MHz | 10 (min) | TO72 | | 2N3285 |
Ge | pnp | 100mW | 20V | - | - | 50mA | 250MHz | 5 (min) | TO72 | | 2N3286 |
Ge | pnp | 100mW | 20V | - | - | 50mA | 200MHz | 5 (min) | TO72 | | 2SB400 |
Ge | pnp | 100mW | 20V | - | - | 40mA | 400KHz | 100 | TO1 | | GFT22/30 |
Ge | pnp | 80mW | 30V | ## | ## | 50mA | 1.3MHz | 150 (min) | TO30 | | GFT25/30 |
Ge | pnp | 80mW | 30V | ## | ## | 50mA | 850KHz | 50 (min) | TO5 | | GS109B |
Ge | pnp | 83mW | 20V | - | - | 50mA | - | 30 (min) | TO39 | | GS109C |
Ge | pnp | 83mW | 20V | - | - | 50mA | - | 60 (min) | TO39 | | GS109D |
Ge | pnp | 83mW | 20V | - | - | 50mA | - | 90 (min) | TO39 | |
|
|
|