Справка

Основные параметры биполярного транзистора GT5117

• Материал: Ge
  
• Структура: pnp
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 120mW
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 20V
  
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 100mA
  
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 75°C
  
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40MHz
  
• Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 20 (min)
  
• Емкость коллекторного перехода (Cc): 8 pF
  
• Производитель: GI
  
• Корпус: TO9
  
• Найти datasheet