Справка

Основные параметры биполярного транзистора RT657M

• Материал: Si
  
• Структура: npn
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 350mW
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 100V
  
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 500mA
  
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 200°C
  
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20MHz
  
• Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 30 ... 90
  
• Емкость коллекторного перехода (Cc): 40 pF
  
• Производитель: RAYTHEON
  
• Корпус: TO46
  
• Найти datasheet