|
|
Каталог - Биполярные транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора UMX4NОсновные параметры биполярного транзистора UMX4N - Материал: Si
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 100mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 18V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 150°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 56 ... 180
- Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
- Производитель: ROHM
- Корпус: SO6
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2SC1417 |
Si | npn | 100mW | 20V | - | - | 50mA | 150MHz | 100 | TO126 | | 2SC3013 |
Si | npn | 110mW | 15V | - | - | 50mA | 450MHz | 35 (min) | SP0 | | 2SC3015 |
Si | npn | 110mW | 15V | - | - | 50mA | 550MHz | 60 | SP0 | | 2SC3867 |
Si | npn | 120mW | 20V | - | - | 50mA | 3.8GHz | 60 | TO236 | | 2SC3935 |
Si | npn | 100mW | 15V | - | - | 50mA | 1.9GHz | 40 ... 150 | TO236 | | 2SC4083 |
Si | npn | 100mW | 20V | - | ## | 50mA | 3.2GHz | 350 (min) | TO236 | | 2SC4126 |
Si | npn | 100mW | 15V | - | - | 50mA | 6GHz | 10 (min) | SP1 | | 2SC4127 |
Si | npn | 100mW | 15V | - | - | 50mA | 7.5GHz | 10 (min) | SP1 | | 2SC4239 |
Si | npn | 100mW | 15V | - | - | 50mA | 1.9GHz | 4000 | TO236 | | 2SC4470 |
Si | npn | 100mW | 20V | - | - | 60mA | 7GHz | 70 ... 240 | TO236 | | BFQ75 |
Si | npn | 100mW | 15V | - | - | 50mA | 5GHz | 25 (min) | TO131 | | FMW10 |
Si | npn | 100mW | 18V | - | - | 50mA | 140MHz | 27 (min) | SO6 | | FMW6 |
Si | npn | 100mW | 18V | - | - | 50mA | 140MHz | 27 ... 270 | SO6 | | IMX4 |
Si | npn | 100mW | 18V | - | - | 50mA | 140MHz | 56 ... 180 | SO6 | | UMW10N |
Si | npn | 100mW | 18V | - | - | 50mA | 140MHz | 27 (min) | SO6 | | UMW6N |
Si | npn | 100mW | 18V | - | - | 50mA | 140MHz | 27 ... 270 | SO6 | |
|
|
|