|
|
Каталог - Биполярные транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры биполярного транзистора 2SC3015Основные параметры биполярного транзистора 2SC3015 - Материал: Si
- Структура: npn
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 110mW
- Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 15V
- Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 50mA
- Предельная температура PN-перехода (Tj): 175°C
- Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 550MHz
- Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 60
- Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
- Производитель: FUJITSU
- Корпус: SP0
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Матер. | Струк. | Pk | Uкб | Uкэ | Uэб | Iк | ft | hfe | Корпус| 2SC3013 |
Si | npn | 110mW | 15V | - | - | 50mA | 450MHz | 35 (min) | SP0 | | 2SC3935 |
Si | npn | 100mW | 15V | - | - | 50mA | 1.9GHz | 40 ... 150 | TO236 | | 2SC4126 |
Si | npn | 100mW | 15V | - | - | 50mA | 6GHz | 10 (min) | SP1 | | 2SC4127 |
Si | npn | 100mW | 15V | - | - | 50mA | 7.5GHz | 10 (min) | SP1 | | 2SC4239 |
Si | npn | 100mW | 15V | - | - | 50mA | 1.9GHz | 4000 | TO236 | | 2SC4326 |
Si | npn | 100mW | 12V | - | - | 50mA | 800MHz | 25 (min) | TO236 | | BFQ645 |
Si | npn | 100mW | 12V | ## | ## | 40mA | 9GHz | 15 (min) | SOT89 | | BFQ75 |
Si | npn | 100mW | 15V | - | - | 50mA | 5GHz | 25 (min) | TO131 | | FMW10 |
Si | npn | 100mW | 18V | - | - | 50mA | 140MHz | 27 (min) | SO6 | | FMW6 |
Si | npn | 100mW | 18V | - | - | 50mA | 140MHz | 27 ... 270 | SO6 | | IMX4 |
Si | npn | 100mW | 18V | - | - | 50mA | 140MHz | 56 ... 180 | SO6 | | UMW10N |
Si | npn | 100mW | 18V | - | - | 50mA | 140MHz | 27 (min) | SO6 | | UMW6N |
Si | npn | 100mW | 18V | - | - | 50mA | 140MHz | 27 ... 270 | SO6 | | UMX4N |
Si | npn | 100mW | 18V | - | - | 50mA | 140MHz | 56 ... 180 | SO6 | |
|
|
|