Справка

Основные параметры биполярного транзистора GT125A

• Материал: Ge
  
• Структура: pnp
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 150mW
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 35V
  
• Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 20V
  
• Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 20V
  
• Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 300mA
  
• Предельная температура PN-перехода (Tj): 90°C
  
• Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1MHz
  
• Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (Hfe): 28 ... 56
  
• Емкость коллекторного перехода (Cc): - pF
  
• Производитель: RUSSIA
  
• Найти datasheet