|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора APT5015BVRОсновные параметры полевого транзистора APT5015BVR - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 370W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 32A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Входная емкость (Сiss): 4400
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.150 Ом
- Производитель: Advanced Power
- Тип корпуса: N/A
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусAPT4012BVR |
MOSFET | N-Channel | 370W | 400V | | | 37A | | 4500 | 0.120 Ом | N/A | APT4014BVR |
MOSFET | N-Channel | 300W | 400V | | | 28A | | 3600 | 0.140 Ом | N/A | APT4016BN |
MOSFET | N-Channel | 360W | 400V | | | 31A | 130nS | 2850 | 0.160 Ом | N/A | APT4020BN |
MOSFET | N-Channel | 310W | 400V | | | 26A | 94nS | 2380 | 0.200 Ом | N/A | APT5017BVFR |
MOSFET | N-Channel | 370W | 500V | | | 30A | 200nS | 4400 | 0.170 Ом | N/A | APT5017BVR |
MOSFET | N-Channel | 370W | 500V | | | 30A | | 4400 | 0.170 Ом | N/A | APT5017SVR |
MOSFET | N-Channel | 370W | 500V | | | 30A | | 4400 | 0.170 Ом | N/A | APT5020BN |
MOSFET | N-Channel | 360W | 500V | | | 28A | 140nS | 2890 | 0.200 Ом | N/A | APT5020BVFR |
MOSFET | N-Channel | 300W | 500V | | | 26A | 250nS | 3700 | 0.200 Ом | N/A | APT5020BVR |
MOSFET | N-Channel | 300W | 500V | | | 26A | | 3700 | 0.200 Ом | TO-247 | APT5020SVFR |
MOSFET | N-Channel | 300W | 500 | | | 26A | 250nS | 3700 | 0.200 Ом | N/A | APT5020SVR |
MOSFET | N-Channel | 300W | 500V | | | 26A | | 3700 | 0.200 Ом | N/A | SDF26N50 |
MOSFET | N-Channel | 300W | 500V | | | 26A | | | 0.22 Ом | N/A | SML4020BN |
MOSFET | N-Channel | 310W | 400V | | | 26A | 28/90nS | 2950pF | 0.2 Ом | TO247 | SML40B28 |
MOSFET | N-Channel | 300W | 400V | | | 28A | 12/47nS | 3710pF | 0.14 Ом | TO-247 | SML40B37 |
MOSFET | N-Channel | 370W | 400V | | | 37A | 14/55nS | 4040pF | 0.12 Ом | TO-247 | SML5020BN |
MOSFET | N-Channel | 360W | 500V | | | 28A | 38/125nS | 3500pF | 0.2 Ом | TO247 | SML5022BN |
MOSFET | N-Channel | 360W | 500V | | | 27A | 38/125nS | 3500pF | 0.22 Ом | TO247 | SML50B26 |
MOSFET | N-Channel | 300W | 500V | | | 26A | 12/47nS | 3700pF | 0.2 Ом | TO-247 | SML50B30 |
MOSFET | N-Channel | 370W | 500V | | | 30A | 12/55nS | 4030pF | 0.17 Ом | TO-247 | SML50S26 |
MOSFET | N-Channel | 300W | 500V | | | 26A | 12/47nS | 3700pF | 0.2 Ом | D3PAK | SML50S30 |
MOSFET | N-Channel | 370W | 500V | | | 30A | 12/55nS | 4030pF | 0.17 Ом | D3PAK | SML60W32 |
MOSFET | N-Channel | 400W | 600V | | | 31.5A | 15/45nS | 7500pF | 0.17 Ом | TO-267 | |
|
|
|