|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора APT50M50PVRОсновные параметры полевого транзистора APT50M50PVR - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 625W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 74.5A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 690nS
- Входная емкость (Сiss): 16300
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.05 Ом
- Производитель: Advanced Power
- Тип корпуса: P-PACK
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусAPT40M42JN |
MOSFET | N-Channel | 690W | 400V | | | 86A | 507nS | 1140 | 0.042 Ом | N/A | APT50M50JVFR |
MOSFET | N-Channel | 700W | 500V | | | 77A | 300nS | 16300 | 0.050 Ом | N/A | APT50M50JVR |
MOSFET | N-Channel | 700W | 500V | | | 77A | | 16300 | 0.050 Ом | N/A | APT50M60JN |
MOSFET | N-Channel | 690W | 500V | | | 71A | 475nS | 1640 | 0.060 Ом | N/A | APT60M75JVR |
MOSFET | N-Channel | 700W | 600V | | | 62A | | 16500 | 0.075 Ом | N/A | APT60M75PVR |
MOSFET | N-Channel | 625W | 600V | | | 60.5A | 700nS | 16500 | 0.075 Ом | N/A | BFC18 |
MOSFET | N-Channel | 690W | 500V | | | 71A | 45/100nS | 14000pF | 0.060 Ом | SOT227 | BFC19 |
MOSFET | N-Channel | 690W | 400V | | | 86A | 40/95nS | 14000pF | 0.042 Ом | SOT227 | SML50J77 |
MOSFET | N-Channel | 700W | 500V | | | 77A | 25/77nS | 16300pF | 0.05 Ом | SOT-227 | SML60J62 |
MOSFET | N-Channel | 700W | 600V | | | 62A | 25/88nS | 16000pF | 0.075 Ом | SOT-227 | |
|
|
|