vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора APT50M50PVR
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора APT50M50PVR

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 625W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 74.5A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 690nS
    • Входная емкость (Сiss): 16300
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.05 Ом
    • Производитель: Advanced Power
    • Тип корпуса: P-PACK
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    APT40M42JN MOSFETN-Channel690W400V 86A507nS11400.042 ОмN/A
    APT50M50JVFR MOSFETN-Channel700W500V 77A300nS163000.050 ОмN/A
    APT50M50JVR MOSFETN-Channel700W500V 77A 163000.050 ОмN/A
    APT50M60JN MOSFETN-Channel690W500V 71A475nS16400.060 ОмN/A
    APT60M75JVR MOSFETN-Channel700W600V 62A 165000.075 ОмN/A
    APT60M75PVR MOSFETN-Channel625W600V 60.5A700nS165000.075 ОмN/A
    BFC18 MOSFETN-Channel690W500V 71A45/100nS14000pF0.060 ОмSOT227
    BFC19 MOSFETN-Channel690W400V 86A40/95nS14000pF0.042 ОмSOT227
    SML50J77 MOSFETN-Channel700W500V 77A25/77nS16300pF0.05 ОмSOT-227
    SML60J62 MOSFETN-Channel700W600V 62A25/88nS16000pF0.075 ОмSOT-227
    Яндекс.Метрика