|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора APT6025BVRОсновные параметры полевого транзистора APT6025BVR - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 370W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 25A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Входная емкость (Сiss): 4300
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.250 Ом
- Производитель: Advanced Power
- Тип корпуса: N/A
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусAPT5017BVFR |
MOSFET | N-Channel | 370W | 500V | | | 30A | 200nS | 4400 | 0.170 Ом | N/A | APT5017BVR |
MOSFET | N-Channel | 370W | 500V | | | 30A | | 4400 | 0.170 Ом | N/A | APT5017SVR |
MOSFET | N-Channel | 370W | 500V | | | 30A | | 4400 | 0.170 Ом | N/A | APT5020BN |
MOSFET | N-Channel | 360W | 500V | | | 28A | 140nS | 2890 | 0.200 Ом | N/A | APT5020BVFR |
MOSFET | N-Channel | 300W | 500V | | | 26A | 250nS | 3700 | 0.200 Ом | N/A | APT5020BVR |
MOSFET | N-Channel | 300W | 500V | | | 26A | | 3700 | 0.200 Ом | TO-247 | APT5020SVFR |
MOSFET | N-Channel | 300W | 500 | | | 26A | 250nS | 3700 | 0.200 Ом | N/A | APT5020SVR |
MOSFET | N-Channel | 300W | 500V | | | 26A | | 3700 | 0.200 Ом | N/A | APT5025BN |
MOSFET | N-Channel | 310W | 500V | | | 23A | 83nS | 2380 | 0.250 Ом | N/A | APT6030BN |
MOSFET | N-Channel | 360W | 600V | | | 23A | 140nS | 2905 | 0.300 Ом | TO-247 | APT6030BVR |
MOSFET | N-Channel | 300W | 600V | | | 21A | | 3750 | 0.300 Ом | N/A | BFC50 |
MOSFET | N-Channel | 310W | 500V | | | 23A | - | 2380pF | 0.25 Ом | TO247 | IRF460 |
MOSFET | N-Channel | 300W | 500V | | | 21A | 35/130nS | 4300pF | 0.31 Ом | TO3 | SDF20N60JEA |
MOSFET | N-Channel | 300W | 600V | | | 20A | | | 0.35 Ом | N/A | SDF20N60JEB |
MOSFET | N-Channel | 300W | 600V | | | 20A | | | 0.35 Ом | N/A | SDF20N60JEC |
MOSFET | N-Channel | 300W | 600V | | | 20A | | | 0.35 Ом | N/A | SDF20N60JED |
MOSFET | N-Channel | 300W | 600V | | | 20A | | | 0.35 Ом | N/A | SDF21N60GAF |
MOSFET | N-Channel | 300W | 600V | | | 21A | | | 0.3 Ом | N/A | SDF24N50GAF |
MOSFET | N-Channel | 300W | 500V | | | 24A | | | 0.25 Ом | N/A | SDF26N50 |
MOSFET | N-Channel | 300W | 500V | | | 26A | | | 0.22 Ом | N/A | SML5020BN |
MOSFET | N-Channel | 360W | 500V | | | 28A | 38/125nS | 3500pF | 0.2 Ом | TO247 | SML5022BN |
MOSFET | N-Channel | 360W | 500V | | | 27A | 38/125nS | 3500pF | 0.22 Ом | TO247 | SML5025BN |
MOSFET | N-Channel | 310W | 500V | | | 23A | 28/92nS | 2950pF | 0.25 Ом | TO247 | SML5030BN |
MOSFET | N-Channel | 310W | 500V | | | 21A | 28/92nS | 2600pF | 0.3 Ом | TO247 | SML50B26 |
MOSFET | N-Channel | 300W | 500V | | | 26A | 12/47nS | 3700pF | 0.2 Ом | TO-247 | SML50B30 |
MOSFET | N-Channel | 370W | 500V | | | 30A | 12/55nS | 4030pF | 0.17 Ом | TO-247 | SML50S26 |
MOSFET | N-Channel | 300W | 500V | | | 26A | 12/47nS | 3700pF | 0.2 Ом | D3PAK | SML50S30 |
MOSFET | N-Channel | 370W | 500V | | | 30A | 12/55nS | 4030pF | 0.17 Ом | D3PAK | SML6030BN |
MOSFET | N-Channel | 360W | 600V | | | 23A | 40/130nS | 3500pF | 0.3 Ом | TO247 | SML6033BN |
MOSFET | N-Channel | 360W | 600V | | | 22A | 40/130nS | 3500pF | 0.33 Ом | TO247 | SML60B21 |
MOSFET | N-Channel | 300W | 600V | | | 21A | 12/47nS | 3750pF | 0.3 Ом | TO-247 | SML60B25 |
MOSFET | N-Channel | 370W | 600V | | | 25A | 12/55nS | 4050pF | 0.25 Ом | TO-247 | |
|
|
|