|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора BUP64Основные параметры полевого транзистора BUP64 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 100W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 450V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 5.16A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): -
- Входная емкость (Сiss): -
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.5 Ом
- Производитель: SEMELAB
- Тип корпуса: TO3
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусBUP65 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 450V | | | 4.47A | - | - | 1.5 Ом | TO3 | BUP66 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 500V | | | 5.16A | - | - | 1.5 Ом | TO3 | BUP67 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 500V | | | 4.47A | - | - | 1.5 Ом | TO3 | IRFS440A |
MOSFET | N-Channel | 85W | 500V | | | 6.2A | 74nS | 1190pF | 0.85 Ом | TO-3PF | SML501R1GN |
MOSFET | N-Channel | 100W | 500V | | | 6.5A | 18/52nS | 950pF | 1.1 Ом | TO257 | STP5N50 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 500V | | | 4.5A | | | 1.600 Ом | TO-220 | STP5NA50 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 500V | | | 5A | | | 1.600 Ом | TO-220 | STP6N50 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 500V | | | 6A | | | 1.100 Ом | TO-220 | STP7NA40 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 400V | | | 6.5A | | | 1.000 Ом | TO-220 | STV5NA50 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 500V | | | 4.5A | | | 1.600 Ом | PowerSO-10 | STV7NA40 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 400V | | | 6.5A | | | 1.000 Ом | PowerSO-10 | |
|
|
|