vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора BUP64
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора BUP64

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 100W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 450V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 5.16A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): -
    • Входная емкость (Сiss): -
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.5 Ом
    • Производитель: SEMELAB
    • Тип корпуса: TO3
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    BUP65 MOSFETN-Channel100W450V 4.47A--1.5 ОмTO3
    BUP66 MOSFETN-Channel100W500V 5.16A--1.5 ОмTO3
    BUP67 MOSFETN-Channel100W500V 4.47A--1.5 ОмTO3
    IRFS440A MOSFETN-Channel85W500V 6.2A74nS1190pF0.85 ОмTO-3PF
    SML501R1GN MOSFETN-Channel100W500V 6.5A18/52nS950pF1.1 ОмTO257
    STP5N50 MOSFETN-Channel100W500V 4.5A 1.600 ОмTO-220
    STP5NA50 MOSFETN-Channel100W500V 5A 1.600 ОмTO-220
    STP6N50 MOSFETN-Channel100W500V 6A 1.100 ОмTO-220
    STP7NA40 MOSFETN-Channel100W400V 6.5A 1.000 ОмTO-220
    STV5NA50 MOSFETN-Channel100W500V 4.5A 1.600 ОмPowerSO-10
    STV7NA40 MOSFETN-Channel100W400V 6.5A 1.000 ОмPowerSO-10
    Яндекс.Метрика