|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора STP5NA50Основные параметры полевого транзистора STP5NA50 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 100W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 5A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.600 Ом
- Производитель: STE
- Тип корпуса: TO-220
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусBUP64 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 450V | | | 5.16A | - | - | 1.5 Ом | TO3 | BUP65 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 450V | | | 4.47A | - | - | 1.5 Ом | TO3 | BUP66 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 500V | | | 5.16A | - | - | 1.5 Ом | TO3 | BUP67 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 500V | | | 4.47A | - | - | 1.5 Ом | TO3 | IRFS440A |
MOSFET | N-Channel | 85W | 500V | | | 6.2A | 74nS | 1190pF | 0.85 Ом | TO-3PF | SDF6N60JAA |
MOSFET | N-Channel | 100W | 600V | | | 6A | | | 1.2 Ом | N/A | SDF6N60JAB |
MOSFET | N-Channel | 100W | 600V | | | 6A | | | 1.2 Ом | N/A | SDFC40 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 600V | | | 6.2A | | | 1.2 Ом | N/A | SML501R1GN |
MOSFET | N-Channel | 100W | 500V | | | 6.5A | 18/52nS | 950pF | 1.1 Ом | TO257 | SML601R3GN |
MOSFET | N-Channel | 100W | 600V | | | 6A | 20/54nS | 950pF | 1.3 Ом | TO257 | SML601R6GN |
MOSFET | N-Channel | 100W | 600V | | | 5A | 20/54nS | 950pF | 1.6 Ом | TO257 | SSF10N60A |
MOSFET | N-Channel | 90W | 600V | | | 6.9A | 95nS | 1750pF | 0.8 Ом | TO-3PF | SSF7N60A |
MOSFET | N-Channel | 86W | 600V | | | 5.4A | 65nS | 1150pF | 1.2 Ом | TO-3PF | SSI4N60A |
MOSFET | N-Channel | 100W | 600V | | | 4A | 34nS | 545pF | 2.5 Ом | I2PAK | SSP4N60AS |
MOSFET | N-Channel | 100W | 600V | | | 4A | 34nS | 545pF | 2.5 Ом | TO-220 | SSW4N60A |
MOSFET | N-Channel | 100W | 600V | | | 4A | 34nS | 545pF | 2.5 Ом | TO-263 | STP4NA60 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 600V | | | 4.3A | | | 2.200 Ом | TO-220 | STP5N50 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 500V | | | 4.5A | | | 1.600 Ом | TO-220 | STP5N60 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 600V | | | 5.6A | | | 1.600 Ом | TO-220 | STP5NA60 |
MOSFET | N-Channel | 110W | 600V | | | 5.3A | | | 1.600 Ом | TO-220 | STP6N50 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 500V | | | 6A | | | 1.100 Ом | TO-220 | STP7NA40 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 400V | | | 6.5A | | | 1.000 Ом | TO-220 | STV4NA60 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 600V | | | 4.4A | | | 2.200 Ом | PowerSO-10 | STV5NA50 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 500V | | | 4.5A | | | 1.600 Ом | PowerSO-10 | STV6NA60 |
MOSFET | N-Channel | 110W | 600V | | | 6.5A | | | 1.200 Ом | PowerSO-10 | STV7NA40 |
MOSFET | N-Channel | 100W | 400V | | | 6.5A | | | 1.000 Ом | PowerSO-10 | |
|
|
|