|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора BUP70Основные параметры полевого транзистора BUP70 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 175W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 450V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 6.48A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 15/50nS
- Входная емкость (Сiss): 640pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.5 Ом
- Производитель: SEMELAB
- Тип корпуса: TO3
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусBUP69 |
MOSFET | N-Channel | 175W | 400V | | | 7.93A | - | - | 1.0 Ом | TO3 | BUP71 |
MOSFET | N-Channel | 175W | 500V | | | 6.48A | 15/50nS | 640pF | 1.5 Ом | TO3 | PHB11N50E |
MOSFET | N-Channel | 156W | 500V | | | 5.2A | | | 0.6 Ом | SOT404 | PHP11N50E |
MOSFET | N-Channel | 156W | 500V | | | 5.2A | | | 0.6 Ом | SOT78 | PHW11N50E |
MOSFET | N-Channel | 156W | 500V | | | 5.2A | | | 0.6 Ом | SOT429 | PHW14N50E |
MOSFET | N-Channel | 192W | 500V | | | 7A | | | 0.4 Ом | SOT429 | SML501R1AN |
MOSFET | N-Channel | 150W | 500V | | | 7.5A | 20/48nS | 950pF | 1.1 Ом | TO3 | |
|
|
|