vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора BUP70
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора BUP70

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 175W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 450V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 6.48A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 15/50nS
    • Входная емкость (Сiss): 640pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.5 Ом
    • Производитель: SEMELAB
    • Тип корпуса: TO3
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    BUP69 MOSFETN-Channel175W400V 7.93A--1.0 ОмTO3
    BUP71 MOSFETN-Channel175W500V 6.48A15/50nS640pF1.5 ОмTO3
    PHB11N50E MOSFETN-Channel156W500V 5.2A 0.6 ОмSOT404
    PHP11N50E MOSFETN-Channel156W500V 5.2A 0.6 ОмSOT78
    PHW11N50E MOSFETN-Channel156W500V 5.2A 0.6 ОмSOT429
    PHW14N50E MOSFETN-Channel192W500V 7A 0.4 ОмSOT429
    SML501R1AN MOSFETN-Channel150W500V 7.5A20/48nS950pF1.1 ОмTO3
    Яндекс.Метрика