vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора PHW11N50E
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора PHW11N50E

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 156W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 5.2A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.6 Ом
    • Производитель: PHILIPS
    • Тип корпуса: SOT429
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    BFC63 MOSFETN-Channel125W600V 6.5A-764pF1.30 ОмTO220
    BUP62 MOSFETN-Channel125W400V 6.8A15/50nS840pF1.0 ОмTO3
    BUP63 MOSFETN-Channel125W400V 5.56A--1.5 ОмTO3
    BUP70 MOSFETN-Channel175W450V 6.48A15/50nS640pF1.5 ОмTO3
    BUP71 MOSFETN-Channel175W500V 6.48A15/50nS640pF1.5 ОмTO3
    IRFBC42 MOSFETN-Channel125W600V 5.4A47/119nS TO-220
    PHB11N50E MOSFETN-Channel156W500V 5.2A 0.6 ОмSOT404
    PHB8N50E MOSFETN-Channel147W500V 4.8A 0.85 ОмSOT404
    PHB8ND50E MOSFETN-Channel147W500V 4.8A 0.85 ОмSOT404
    PHB9N60E MOSFETN-Channel156W600V 4.4A 0.85 ОмSOT404
    PHP10N60E MOSFETN-Channel156W600V 4.4A 0.75 ОмSOT78
    PHP11N50E MOSFETN-Channel156W500V 5.2A 0.6 ОмSOT78
    PHP8N50E MOSFETN-Channel147W500V 4.8A 0.85 ОмSOT78
    PHP8ND50E MOSFETN-Channel147W500V 4.8A 0.85 ОмSOT78
    PHW8N50E MOSFETN-Channel147W500V 4.8A 0.85 ОмSOT429
    PHW8ND50E MOSFETN-Channel147W500V 4.8A 0.85 ОмSOT429
    PHW9N60E MOSFETN-Channel156W600V 4.4A 0.85 ОмSOT429
    SML601R3AN MOSFETN-Channel150W600V 6.5A20/49nS950pF1.3 ОмTO3
    SML601R3CN MOSFETN-Channel125W600V 6.5A20/54nS950pF1.3 ОмTO254
    SML601R6AN MOSFETN-Channel150W600V 6A20/49nS950pF1.6 ОмTO3
    SML601R6BN MOSFETN-Channel180W600V 6.5A20/49nS950pF1.6 ОмTO247
    SML601R6CN MOSFETN-Channel125W600V 5.5A20/54nS950pF1.6 ОмTO254
    SML601R6KN MOSFETN-Channel180W600V 6.5A20/47nS950pF1.6 ОмTO220
    SSH6N55 MOSFETN-Channel125W550V 6A TO-3P
    SSH6N60 MOSFETN-Channel125W600V 6A TO-3P
    SSP6N55 MOSFETN-Channel125W550V 6A TO-220
    SSP6N60 MOSFETN-Channel125W600V 6A TO-220
    STP6NA60 MOSFETN-Channel125W600V 6.5A 1.200 ОмTO-220
    STV7NA60 MOSFETN-Channel125W600V 6.5A 1.000 ОмPowerSO-10
    Яндекс.Метрика