vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора FDD6030L
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора FDD6030L

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 60W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 30V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 50A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 50nS
    • Входная емкость (Сiss): 1230pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.0145 Ом
    • Производитель: FAIRCHILD
    • Тип корпуса: DPAK
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2SK3133 MOSFETN-Channel50W30V ±20V50A130mS2600pF50 ОмLDPAK
    2SK3203 MOSFETN-Channel50W30V ±20V45A65mS1200pF23 ОмDPAK
    FDB6030BL MOSFETN-Channel60W30V 40A 0.018 ОмTO-263
    FDB6035AL MOSFETN-Channel58W30V 48A 0.0125 ОмTO-263
    FDB7030BL MOSFETN-Channel65W30V 60A 0.0085 ОмTO-263
    FDD6680 MOSFETN-Channel60W30V 55A27nS2070pF0.01 ОмDPAK
    FDD6680A MOSFETN-Channel60W30V 56A33nS2180pF0.0095 ОмDPAK
    FDD6690A MOSFETN-Channel50W30V 46A23nS1700pF0.012 ОмDPAK
    FDP6030BL MOSFETN-Channel60W30V 40A 0.018 ОмTO-220
    FDP6035AL MOSFETN-Channel58W30V 48A 0.0125 ОмTO-220
    FDP7030BL MOSFETN-Channel65W30V 60A 0.0085 ОмTO-220
    H7N0302LS MOSFETN-Channel50W30V ±20V50A25mS2200pF40 ОмLDPAK
    Яндекс.Метрика