vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора 2SK3203
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора 2SK3203

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 50W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 30V
    • Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±20V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 45A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 65mS
    • Входная емкость (Сiss): 1200pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 23 Ом
    • Производитель: HITACHI
    • Тип корпуса: DPAK
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2SK3133 MOSFETN-Channel50W30V ±20V50A130mS2600pF50 ОмLDPAK
    FDB6030BL MOSFETN-Channel60W30V 40A 0.018 ОмTO-263
    FDB6035AL MOSFETN-Channel58W30V 48A 0.0125 ОмTO-263
    FDD6030L MOSFETN-Channel60W30V 50A50nS1230pF0.0145 ОмDPAK
    FDD6690A MOSFETN-Channel50W30V 46A23nS1700pF0.012 ОмDPAK
    FDP6030BL MOSFETN-Channel60W30V 40A 0.018 ОмTO-220
    FDP6035AL MOSFETN-Channel58W30V 48A 0.0125 ОмTO-220
    H7N0302LS MOSFETN-Channel50W30V ±20V50A25mS2200pF40 ОмLDPAK
    Яндекс.Метрика