|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора FDP6035ALОсновные параметры полевого транзистора FDP6035AL - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 58W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 30V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 48A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.0125 Ом
- Производитель: FAIRCHILD
- Тип корпуса: TO-220
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | Корпус2SK3133 |
MOSFET | N-Channel | 50W | 30V | | ±20V | 50A | 130mS | 2600pF | 50 Ом | LDPAK | 2SK3203 |
MOSFET | N-Channel | 50W | 30V | | ±20V | 45A | 65mS | 1200pF | 23 Ом | DPAK | FDB6030BL |
MOSFET | N-Channel | 60W | 30V | | | 40A | | | 0.018 Ом | TO-263 | FDB6035AL |
MOSFET | N-Channel | 58W | 30V | | | 48A | | | 0.0125 Ом | TO-263 | FDD6030L |
MOSFET | N-Channel | 60W | 30V | | | 50A | 50nS | 1230pF | 0.0145 Ом | DPAK | FDD6680 |
MOSFET | N-Channel | 60W | 30V | | | 55A | 27nS | 2070pF | 0.01 Ом | DPAK | FDD6680A |
MOSFET | N-Channel | 60W | 30V | | | 56A | 33nS | 2180pF | 0.0095 Ом | DPAK | FDD6690A |
MOSFET | N-Channel | 50W | 30V | | | 46A | 23nS | 1700pF | 0.012 Ом | DPAK | FDP6030BL |
MOSFET | N-Channel | 60W | 30V | | | 40A | | | 0.018 Ом | TO-220 | H7N0302LS |
MOSFET | N-Channel | 50W | 30V | | ±20V | 50A | 25mS | 2200pF | 40 Ом | LDPAK | |
|
|
|