vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRF044
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRF044

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 75W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 60V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 44A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 23/81nS
    • Входная емкость (Сiss): 2400pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.032 Ом
    • Производитель: SEMELAB
    • Тип корпуса: TO3
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2SJ505 MOSFETP-Channel75W60V ±20V50A 4100pF0.024 ОмLDPAK
    2SK1192 MOSFETN-Channel90W60V 40A 2500pF0.028 ОмFM100
    2SK2553 MOSFETN-Channel75W60V ±20V50A 3550pF0.01 ОмLDPAK
    2SK2931 MOSFETN-Channel75W60V ±20V45A 2200pF0.015 ОмTO-220AB
    2SK2940 MOSFETN-Channel75W60V ±20V45A 2200pF0.015 ОмLDPAK
    FBD5680 MOSFETN-Channel65W60V 40A 0.02 ОмTO-263
    FDB5680 MOSFETN-Channel65W60V 40A33nS 0.02 ОмTO-263
    FDD5680 MOSFETN-Channel60W60V 38A46nS1835pF0.021 ОмDPAK
    FDP5680 MOSFETN-Channel65W60V 40A 0.02 ОмTO-220
    STP38N06 MOSFETN-Channel90W60V 38A 0.045 ОмTO-220
    Яндекс.Метрика