vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора FDS6875
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора FDS6875

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: P-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 2W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 20V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 6A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.03 Ом
    • Производитель: FAIRCHILD
    • Тип корпуса: SO8
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    FDS6890A MOSFETN-Channel2W20V 7.5A 0.019 ОмSO8
    FDS8433A MOSFETP-Channel2.5W20V 5A 0.045 ОмSO8
    HAT1046R MOSFETP-Channel2W20V ±12V6A185mS1700pFSOP-8
    HAT2053M MOSFETN-Channel2W20V ±20V6.1A105mS570pF20 ОмTSOP-6
    NDS8425 MOSFETN-Channel2.5W20V 7.4A 0.025 ОмSO8
    NDS8434A MOSFETP-Channel2.5W20V 7.8A 0.024 ОмSO8
    NDS8926 MOSFETN-Channel2W20V 5.5A 0.035 ОмSO8
    Яндекс.Метрика