|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора HAT2053MОсновные параметры полевого транзистора HAT2053M - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 2W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 20V
- Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±20V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 6.1A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 105mS
- Входная емкость (Сiss): 570pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 20 Ом
- Производитель: HITACHI
- Тип корпуса: TSOP-6
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусFDS6875 |
MOSFET | P-Channel | 2W | 20V | | | 6A | | | 0.03 Ом | SO8 | FDS6890A |
MOSFET | N-Channel | 2W | 20V | | | 7.5A | | | 0.019 Ом | SO8 | FDS8433A |
MOSFET | P-Channel | 2.5W | 20V | | | 5A | | | 0.045 Ом | SO8 | HAT1046R |
MOSFET | P-Channel | 2W | 20V | | ±12V | 6A | 185mS | 1700pF | | SOP-8 | NDS8425 |
MOSFET | N-Channel | 2.5W | 20V | | | 7.4A | | | 0.025 Ом | SO8 | NDS8434A |
MOSFET | P-Channel | 2.5W | 20V | | | 7.8A | | | 0.024 Ом | SO8 | NDS8926 |
MOSFET | N-Channel | 2W | 20V | | | 5.5A | | | 0.035 Ом | SO8 | |
|
|
|