|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора NDS8926Основные параметры полевого транзистора NDS8926 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 2W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 20V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 5.5A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.035 Ом
- Производитель: FAIRCHILD
- Тип корпуса: SO8
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусFDS6875 |
MOSFET | P-Channel | 2W | 20V | | | 6A | | | 0.03 Ом | SO8 | FDS8433A |
MOSFET | P-Channel | 2.5W | 20V | | | 5A | | | 0.045 Ом | SO8 | FDS8934A |
MOSFET | P-Channel | 2W | 20V | | | 4A | | | 0.055 Ом | SO8 | HAT1043M |
MOSFET | P-Channel | 2W | 20V | | ±12V | 4.4A | 100mS | 750pF | 22 Ом | TSOP-6 | HAT1046R |
MOSFET | P-Channel | 2W | 20V | | ±12V | 6A | 185mS | 1700pF | | SOP-8 | HAT2053M |
MOSFET | N-Channel | 2W | 20V | | ±20V | 6.1A | 105mS | 570pF | 20 Ом | TSOP-6 | NDS9925A |
MOSFET | N-Channel | 2W | 20V | | | 4.2A | | | 0.06 Ом | SO8 | |
|
|
|