|
|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора FDS8926AОсновные параметры полевого транзистора FDS8926A - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 2W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 30V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 5.5A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.03 Ом
- Производитель: FAIRCHILD
- Тип корпуса: SO8
- Найти datasheet
Похожие по параметрам:
| Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | Корпус| FDS4953 |
MOSFET | P-Channel | 2W | 30V | | | 5A | | | 0.053 Ом | SO8 | | FDS6630A |
MOSFET | N-Channel | 2.5W | 30V | | | 6.5A | | | 0.038 Ом | SO8 | | FDS6912 |
MOSFET | N-Channel | 2W | 30V | | | 6A | | | 0.028 Ом | SO8 | | FDS6912A |
MOSFET | N-Channel | 2W | 30V | | | 6A | | | 0.028 Ом | SO8 | | FDS6930A |
MOSFET | N-Channel | 2W | 30V | | | 5.5A | | | 0.04 Ом | SO8 | | FDS6975 |
MOSFET | P-Channel | 2W | 30V | | | 6A | | | 0.032 Ом | SO8 | | FDS8936A |
MOSFET | N-Channel | 2W | 30V | | | 6A | | | 0.028 Ом | SO8 | | FDS8947A |
MOSFET | P-Channel | 2W | 30V | | | 4A | | | 0.052 Ом | SO8 | | FDS9435A |
MOSFET | P-Channel | 2.5W | 30V | | | 5.3A | | | 0.045 Ом | SO8 | | FDS9936A |
MOSFET | N-Channel | 2W | 30V | | | 5.5A | | | 0.04 Ом | SO8 | | HAT1044M |
MOSFET | P-Channel | 2W | 30V | | ±20V | 4.5A | 55mS | 600pF | | TSOP-6 | | HAT2054M |
MOSFET | N-Channel | 2W | 30V | | ±20V | 6.3A | 40mS | 620pF | 13 Ом | TSOP-6 | | NDS8936 |
MOSFET | N-Channel | 2W | 30V | | | 5.3A | | | 0.035 Ом | SO8 | | NDS9435A |
MOSFET | P-Channel | 2.5W | 30V | | | 5.3A | | | 0.05 Ом | SO8 | | NDS9936 |
MOSFET | N-Channel | 2W | 30V | | | 5A | | | 0.05 Ом | SO8 | | Si4831DY |
FET | P-Channel | 2W | 30V | | | 5A | 10nS | | 0.090 Ом | SOIC-8 | |
|
|
|