vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора Si4831DY
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора Si4831DY

    • Структура (технология): FET
    • Тип канала: P-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 2W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 30V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 5A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 10nS
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.090 Ом
    • Производитель: VISHAY
    • Тип корпуса: SOIC-8
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    FDS4953 MOSFETP-Channel2W30V 5A 0.053 ОмSO8
    FDS6630A MOSFETN-Channel2.5W30V 6.5A 0.038 ОмSO8
    FDS6912 MOSFETN-Channel2W30V 6A 0.028 ОмSO8
    FDS6912A MOSFETN-Channel2W30V 6A 0.028 ОмSO8
    FDS6930A MOSFETN-Channel2W30V 5.5A 0.04 ОмSO8
    FDS6975 MOSFETP-Channel2W30V 6A 0.032 ОмSO8
    FDS8926A MOSFETN-Channel2W30V 5.5A 0.03 ОмSO8
    FDS8936A MOSFETN-Channel2W30V 6A 0.028 ОмSO8
    FDS8947A MOSFETP-Channel2W30V 4A 0.052 ОмSO8
    FDS9435A MOSFETP-Channel2.5W30V 5.3A 0.045 ОмSO8
    FDS9936A MOSFETN-Channel2W30V 5.5A 0.04 ОмSO8
    HAT1044M MOSFETP-Channel2W30V ±20V4.5A55mS600pFTSOP-6
    HAT2054M MOSFETN-Channel2W30V ±20V6.3A40mS620pF13 ОмTSOP-6
    NDS8936 MOSFETN-Channel2W30V 5.3A 0.035 ОмSO8
    NDS9435A MOSFETP-Channel2.5W30V 5.3A 0.05 ОмSO8
    NDS9936 MOSFETN-Channel2W30V 5A 0.05 ОмSO8
    Яндекс.Метрика